Завершена разработка автоматического тестера IGBT

Дата10.07.2015
АвторAlexandr

Завершена разработка и выполнено изготовление автоматического тестера динамических параметров силовых полупроводниковых модулей и быстровосстанавливающихся диодов Морион-1. Тестеры могут функционировать как в автономном режиме, так и в составе тестового измерительного комплекса.

Показатели назначения:

Тестер обеспечивает измерение и вычисление следующих параметров (временных с точностью до 2 нс):

  • время обратного восстановления диода tобр.вос;
  • время задержки включения tз.вкл;
  • время нарастания tнар;
  • время задержки выключения tз.выкл;
  • время спада tсп.
  • время включения tвкл;
  • время выключения tвыкл;
  • энергию включения Eвкл;
  • энергию выключения Eвыкл;
  • заряд обратного восстановления Qобр.

Диапазон напряжений: 300-900 В +-0,5%

Диапазон токов: 10-400 А  (скорость спада тока dI/dt = 1100 А/мкс)

Длительность импульса: 10-350 мкс

Задание импульсного напряжения затвора: -10/+15В, 1-350 мкс, минимальная скважность 1000

Максимальная амплитуда выбросов импульсных напряжений и токов: не более 10%

Управление тестером осуществляется от персонального компьютера по протоколу ModBus RTU.

Тестер работает под управлением контроллера с ядром ARM ST32F407VG и позволяет реализовать практически любые алгоритмы выполнения измерений.

Измерительные каналы построены на базе двухканального 8 битного АЦП ЛА-н1USB производства ЗАО "Руднев-Шиляев"с частотой дискретизации до 2ГГц.

 

 

« Предыдущая новость
← Приглашаем на работу.
Вход в систему
Запомнить меня